• 授权日:2010-02-26
  • 公开(公告)号:JP4463392B2
  • 申请日:2000-07-24
  • 公开(公告)日:2010-05-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 筒井 哲夫 | 水上 真由美
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  • 授权日:2003-09-16
  • 公开(公告)号:US6620528
  • 申请日:2000-07-19
  • 公开(公告)日:2003-09-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | TSUTSUI, TETSUO | MIZUKAMI, MAYUMI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001102176A5
  • 申请日:2000-07-24
  • 公开(公告)日:2007-07-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 筒井 哲夫 | 水上 真由美
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1282064A
  • 申请日:2000-07-24
  • 公开(公告)日:2001-01-31
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山崎舜平 | 筒井哲夫 | 水上真由美
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  • 授权日:2010-05-12
  • 公开(公告)号:CN1282064B
  • 申请日:2000-07-24
  • 公开(公告)日:2010-05-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山崎舜平 | 筒井哲夫 | 水上真由美
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050062691A1
  • 申请日:2003-10-24
  • 公开(公告)日:2005-03-24
  • 当前申请(专利权)人:JOLED INC.
  • 发明人:TAMURA, MITSUYASU | HASEGAWA, HIROSHI
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  • 授权日:2011-02-22
  • 公开(公告)号:US7893892
  • 申请日:2003-10-24
  • 公开(公告)日:2011-02-22
  • 当前申请(专利权)人:JOLED INC.
  • 发明人:TAMURA, MITSUYASU | HASEGAWA, HIROSHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100029856A
  • 申请日:2003-10-24
  • 公开(公告)日:2010-03-17
  • 当前申请(专利权)人:소니 주식회사
  • 发明人:다무라미츠야스 | 하세가와히로시
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100029857A
  • 申请日:2003-10-24
  • 公开(公告)日:2010-03-17
  • 当前申请(专利权)人:소니 주식회사
  • 发明人:다무라미츠야스 | 하세가와히로시
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