• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1735298A
  • 申请日:2005-08-04
  • 公开(公告)日:2006-02-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:熊木大介 | 濑尾哲史
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  • 授权日:2009-07-08
  • 公开(公告)号:CN100512580C
  • 申请日:2005-08-04
  • 公开(公告)日:2009-07-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:熊木大介 | 濑尾哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101562236A
  • 申请日:2005-08-04
  • 公开(公告)日:2009-10-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:熊木大介 | 濑尾哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1624502A3
  • 申请日:2005-08-01
  • 公开(公告)日:2011-04-06
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KUMAKI, DAISUKE | SEO, SATOSHI C/OSEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO., LTD
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1624502A2
  • 申请日:2005-08-01
  • 公开(公告)日:2006-02-08
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KUMAKI, DAISUKE | SEO, SATOSHI C/OSEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO., LTD
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  • 授权日:2011-06-21
  • 公开(公告)号:US7964891
  • 申请日:2008-11-18
  • 公开(公告)日:2011-06-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KUMAKI, DAISUKE | SEO, SATOSHI
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  • 授权日:2014-04-18
  • 公开(公告)号:JP5522862B2
  • 申请日:2012-10-09
  • 公开(公告)日:2014-06-18
  • 当前申请(专利权)人:ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー
  • 发明人:インバゼカラン、マイケル | チェン、ヤン | ゲイナー、スコット | ハダック、ミシェル、エル. | ワン、チャン | ウェルシュ、ディーン、エム. | ウー、ウエイシー
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013030800A
  • 申请日:2012-10-09
  • 公开(公告)日:2013-02-07
  • 当前申请(专利权)人:ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー
  • 发明人:インバゼカラン、マイケル | チェン、ヤン | ゲイナー、スコット | ハダック、ミシェル、エル. | ワン、チャン | ウェルシュ、ディーン、エム. | ウー、ウエイシー
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  • 授权日:2015-01-13
  • 公开(公告)号:US8932734
  • 申请日:2010-10-08
  • 公开(公告)日:2015-01-13
  • 当前申请(专利权)人:UNIVERSAL DISPLAY CORPORATION
  • 发明人:DYATKIN, ALEXEY
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