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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018022695A
- 申请日:2017-09-20
- 公开(公告)日:2018-02-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:山崎 舜平 | 小山 潤 | 秋葉 麻衣
- 授权日:2010-09-22
- 公开(公告)号:EP1096465B1
- 申请日:2000-10-26
- 公开(公告)日:2010-09-22
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO.,LTD
- 授权日:2011-07-26
- 公开(公告)号:US7986094
- 申请日:2007-06-19
- 公开(公告)日:2011-07-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:2013-03-05
- 公开(公告)号:US8390190
- 申请日:2011-07-22
- 公开(公告)日:2013-03-05
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:2011-04-20
- 公开(公告)号:CN1855527B
- 申请日:2000-10-26
- 公开(公告)日:2011-04-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:小山润
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1855527A
- 申请日:2000-10-26
- 公开(公告)日:2006-11-01
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:小山润
- 授权日:2007-07-03
- 公开(公告)号:US7239083
- 申请日:2003-05-12
- 公开(公告)日:2007-07-03
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1096465A3
- 申请日:2000-10-26
- 公开(公告)日:2006-04-19
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO.,LTD
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1096465A2
- 申请日:2000-10-26
- 公开(公告)日:2001-05-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO.,LTD