• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020040095031A
  • 申请日:2003-05-06
  • 公开(公告)日:2004-11-12
  • 当前申请(专利权)人:엘지전자 주식회사
  • 发明人:KIM,CHANGNAM
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020070101262A
  • 申请日:2005-12-02
  • 公开(公告)日:2007-10-16
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:세오사토시 | 시타가키사토코 | 아베히로코 | 타카스타카코 | 노무라료지
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  • 授权日:2013-05-16
  • 公开(公告)号:KR101267040B1
  • 申请日:2005-12-02
  • 公开(公告)日:2013-05-23
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:세오사토시 | 시타가키사토코 | 아베히로코 | 타카스타카코 | 노무라료지
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070216292A1
  • 申请日:2005-12-02
  • 公开(公告)日:2007-09-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SEO, SATOSHI | SHITAGAKI, SATOKO | ABE, HIROKO | TAKASU, TAKAKO | NOMURA, RYOJI
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  • 注释
  • 授权日:2013-05-10
  • 公开(公告)号:JP5264021B2
  • 申请日:2011-09-29
  • 公开(公告)日:2013-08-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:瀬尾 哲史 | 下垣 智子 | 安部 寛子 | 高須 貴子 | 野村 亮二
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  • 注释
  • 授权日:2014-09-24
  • 公开(公告)号:CN101851499B
  • 申请日:2005-12-02
  • 公开(公告)日:2014-09-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:濑尾哲史 | 下垣智子 | 安部宽子 | 高须贵子 | 野村亮二
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101851499A
  • 申请日:2005-12-02
  • 公开(公告)日:2010-10-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:濑尾哲史 | 下垣智子 | 安部宽子 | 高须贵子 | 野村亮二
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  • 授权日:2016-08-03
  • 公开(公告)号:CN102169968B
  • 申请日:2011-02-01
  • 公开(公告)日:2016-08-03
  • 当前申请(专利权)人:三星显示有限公司
  • 发明人:金贞莲 | 成沄澈
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102169968A
  • 申请日:2011-02-01
  • 公开(公告)日:2011-08-31
  • 当前申请(专利权)人:三星显示有限公司
  • 发明人:金贞莲 | 成沄澈
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