• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110149185A1
  • 申请日:2010-12-15
  • 公开(公告)日:2011-06-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013008027A
  • 申请日:2012-06-19
  • 公开(公告)日:2013-01-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015222443A
  • 申请日:2015-08-24
  • 公开(公告)日:2015-12-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平
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  • 授权日:2013-08-16
  • 公开(公告)号:JP5341245B2
  • 申请日:2012-12-04
  • 公开(公告)日:2013-11-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017161913A
  • 申请日:2017-04-07
  • 公开(公告)日:2017-09-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平
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  • 授权日:2015-02-06
  • 公开(公告)号:JP5690777B2
  • 申请日:2012-06-19
  • 公开(公告)日:2015-03-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020130030827A
  • 申请日:2010-11-19
  • 公开(公告)日:2013-03-27
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:2013-06-28
  • 公开(公告)号:KR101282383B1
  • 申请日:2010-11-19
  • 公开(公告)日:2013-07-04
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170039977A1
  • 申请日:2016-10-25
  • 公开(公告)日:2017-02-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI
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