• 授权日:2018-09-14
  • 公开(公告)号:KR101900662B1
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2018-11-08
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아라사와료 | 도요타카고헤이
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170087963A
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2017-07-31
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아라사와료 | 도요타카고헤이
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  • 授权日:2017-03-03
  • 公开(公告)号:JP6100880B2
  • 申请日:2015-12-28
  • 公开(公告)日:2017-03-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016118789A
  • 申请日:2015-12-28
  • 公开(公告)日:2016-06-30
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN107886916A
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2018-04-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平
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  • 授权日:2015-08-11
  • 公开(公告)号:US9105256
  • 申请日:2014-04-03
  • 公开(公告)日:2015-08-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140210808A1
  • 申请日:2014-04-03
  • 公开(公告)日:2014-07-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
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  • 授权日:2017-07-26
  • 公开(公告)号:KR101763660B1
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2017-08-01
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아라사와료 | 도요타카고헤이
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120094957A
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2012-08-27
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아라사와료 | 도요타카고헤이
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