• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020060134260A
  • 申请日:2005-06-22
  • 公开(公告)日:2006-12-28
  • 当前申请(专利权)人:엘지디스플레이 주식회사
  • 发明人:YOU, SOOK KYUNG
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20090097233A1
  • 申请日:2006-08-22
  • 公开(公告)日:2009-04-16
  • 当前申请(专利权)人:KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA | TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.
  • 发明人:OOYA, YASUMASA | SAKAI, RYO | TAKEUCHI, HAJIME | ISHII, TSUTOMU | SHIRAKAWA, YASUHIRO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100165280A1
  • 申请日:2009-12-17
  • 公开(公告)日:2010-07-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE | NISHI, TAKESHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010170123A
  • 申请日:2009-12-22
  • 公开(公告)日:2010-08-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介 | 西 毅
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014112249A
  • 申请日:2014-01-29
  • 公开(公告)日:2014-06-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介 | 西 毅
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  • 授权日:2015-12-25
  • 公开(公告)号:JP5859035B2
  • 申请日:2014-01-29
  • 公开(公告)日:2016-02-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介 | 西 毅
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010170123A5
  • 申请日:2009-12-22
  • 公开(公告)日:2013-01-31
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介 | 西 毅
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101762913A
  • 申请日:2009-12-24
  • 公开(公告)日:2010-06-30
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介 | 西毅
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  • 授权日:2015-01-14
  • 公开(公告)号:CN101762913B
  • 申请日:2009-12-24
  • 公开(公告)日:2015-01-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介 | 西毅
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