• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140210808A1
  • 申请日:2014-04-03
  • 公开(公告)日:2014-07-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012212178A
  • 申请日:2012-07-23
  • 公开(公告)日:2012-11-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102640207A
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2012-08-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:荒泽亮 | 丰高耕平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2017-03-10
  • 公开(公告)号:JP6106700B2
  • 申请日:2015-03-09
  • 公开(公告)日:2017-04-05
  • 当前申请(专利权)人:アボツト·モレキユラー·インコーポレイテツド
  • 发明人:ジヨン·ラツセル | トレイシー·コルピツツ | エリツク·ラツセル | ステイーブン·フロスト | ハビアー·ラミレス | バワーニ·シン
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016176954A
  • 申请日:2016-05-02
  • 公开(公告)日:2016-10-06
  • 当前申请(专利权)人:アボツト·モレキユラー·インコーポレイテツド
  • 发明人:ジヨン·ラツセル | トレイシー·コルピツツ | エリツク·ラツセル | ステイーブン·フロスト | ハビアー·ラミレス | バワーニ·シン
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2018-09-14
  • 公开(公告)号:KR101900662B1
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2018-11-08
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아라사와료 | 도요타카고헤이
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120094957A
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2012-08-27
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아라사와료 | 도요타카고헤이
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2017-07-26
  • 公开(公告)号:KR101763660B1
  • 申请日:2010-11-16
  • 公开(公告)日:2017-08-01
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아라사와료 | 도요타카고헤이
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2014-04-15
  • 公开(公告)号:US8698717
  • 申请日:2010-12-15
  • 公开(公告)日:2014-04-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页