박막트랜지스터의 화소전극형성방법

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박막트랜지스터의 화소전극형성방법
授权日

1900-01-01
公开（公告）号

KR1020020039089A
申请日

2000-11-20
公开（公告）日

2002-05-25
当前申请（专利权）人

하이디스 테크놀로지 주식회사
发明人

조진희 | 임승무 | 고영욱 | 김현진
简单同族

KR1020020039089A
简单同族成员数量

1
简单同族被引用专利总数

0
诉讼案件数

0
法律状态/事件

驳回