• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2009110930A5
  • 申请日:2008-08-20
  • 公开(公告)日:2011-06-02
  • 当前申请(专利权)人:富士フイルム株式会社
  • 发明人:実藤 竜二 | 齊藤 之人 | 野村 達穂
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2009110930A
  • 申请日:2008-08-20
  • 公开(公告)日:2009-05-21
  • 当前申请(专利权)人:富士フイルム株式会社
  • 发明人:実藤 竜二 | 齊藤 之人 | 野村 達穂
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  • 授权日:2019-07-23
  • 公开(公告)号:CN107968099B
  • 申请日:2015-08-21
  • 公开(公告)日:2019-07-23
  • 当前申请(专利权)人:乐金显示有限公司
  • 发明人:权世烈 | 梁熙皙 | 尹相天
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  • 授权日:2012-05-16
  • 公开(公告)号:CN1607873B
  • 申请日:2000-09-25
  • 公开(公告)日:2012-05-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润
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  • 授权日:2010-08-31
  • 公开(公告)号:US7786958
  • 申请日:2000-09-20
  • 公开(公告)日:2010-08-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1087444A3
  • 申请日:2000-09-07
  • 公开(公告)日:2006-04-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO., LTD.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1087444A2
  • 申请日:2000-09-07
  • 公开(公告)日:2001-03-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO., LTD.
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  • 授权日:2017-02-01
  • 公开(公告)号:EP2276064B1
  • 申请日:2000-09-07
  • 公开(公告)日:2017-02-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO, LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20130309933A1
  • 申请日:2013-07-22
  • 公开(公告)日:2013-11-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HIRAKATA, YOSHIHARU
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