• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20010040565A1
  • 申请日:2001-05-11
  • 公开(公告)日:2001-11-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:2004-07-13
  • 公开(公告)号:US6762735
  • 申请日:2001-05-11
  • 公开(公告)日:2004-07-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:2008-03-25
  • 公开(公告)号:US7348943
  • 申请日:2004-06-15
  • 公开(公告)日:2008-03-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20040239598A1
  • 申请日:2004-06-15
  • 公开(公告)日:2004-12-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008538651A5
  • 申请日:2006-04-11
  • 公开(公告)日:2009-06-04
  • 当前申请(专利权)人:イー·アイ·デュポン·ドウ·ヌムール·アンド·カンパニー
  • 发明人:メン ホン | エリック モーリス スミス | チェ-シュン ス
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1869720A2
  • 申请日:2006-04-11
  • 公开(公告)日:2007-12-26
  • 当前申请(专利权)人:E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
  • 发明人:MENG, HONG | SMITH, ERIC, MAURICE | HSU, CHE-HSIUNG
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102683590A
  • 申请日:2006-04-11
  • 公开(公告)日:2012-09-19
  • 当前申请(专利权)人:E·I·内穆尔杜邦公司
  • 发明人:旻鸿 | E·M·史密斯 | 许奇翔
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008538651A
  • 申请日:2006-04-11
  • 公开(公告)日:2008-10-30
  • 当前申请(专利权)人:イー·アイ·デュポン·ドウ·ヌムール·アンド·カンパニー
  • 发明人:メン ホン | エリック モーリス スミス | チェ-シュン ス
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1869720A4
  • 申请日:2006-04-11
  • 公开(公告)日:2011-09-21
  • 当前申请(专利权)人:E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
  • 发明人:MENG, HONG | SMITH, ERIC, MAURICE | HSU, CHE-HSIUNG
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