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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015065175A
- 申请日:2014-11-14
- 公开(公告)日:2015-04-09
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:村上 智史 | 大谷 久 | 山崎 舜平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20130134401A1
- 申请日:2012-12-31
- 公开(公告)日:2013-05-30
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MURAKAMI, SATOSHI | OHTANI, HISASHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012084530A
- 申请日:2011-12-05
- 公开(公告)日:2012-04-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:村上 智史 | 大谷 久 | 山崎 舜平
- 授权日:2018-10-09
- 公开(公告)号:US10096795
- 申请日:2016-09-12
- 公开(公告)日:2018-10-09
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MURAKAMI, SATOSHI | OHTANI, HISASHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20170069872A1
- 申请日:2016-09-12
- 公开(公告)日:2017-03-09
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MURAKAMI, SATOSHI | OHTANI, HISASHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
- 授权日:2009-10-14
- 公开(公告)号:CN100551179C
- 申请日:2005-09-15
- 公开(公告)日:2009-10-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:村上智史 | 大谷久 | 山崎舜平
- 授权日:2013-04-12
- 公开(公告)号:JP5244958B2
- 申请日:2011-12-05
- 公开(公告)日:2013-07-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:村上 智史 | 大谷 久 | 山崎 舜平
- 授权日:2016-09-13
- 公开(公告)号:US9444069
- 申请日:2012-12-31
- 公开(公告)日:2016-09-13
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MURAKAMI, SATOSHI | OHTANI, HISASHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
- 授权日:2013-01-02
- 公开(公告)号:CN101673758B
- 申请日:2005-09-15
- 公开(公告)日:2013-01-02
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:村上智史 | 大谷久 | 山崎舜平