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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1551086A
  • 申请日:2004-05-17
  • 公开(公告)日:2004-12-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:宫川惠介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20040252085A1
  • 申请日:2004-04-28
  • 公开(公告)日:2004-12-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAGAWA, KEISUKE
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  • 授权日:2010-11-12
  • 公开(公告)号:JP4623939B2
  • 申请日:2003-05-16
  • 公开(公告)日:2011-02-02
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:宮川 恵介
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  • 授权日:2008-04-29
  • 公开(公告)号:US7365719
  • 申请日:2004-04-28
  • 公开(公告)日:2008-04-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAGAWA, KEISUKE
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  • 授权日:2010-10-06
  • 公开(公告)号:CN1551086B
  • 申请日:2004-05-17
  • 公开(公告)日:2010-10-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:宫川惠介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2004341368A
  • 申请日:2003-05-16
  • 公开(公告)日:2004-12-02
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:宮川 恵介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2004341368A5
  • 申请日:2003-05-16
  • 公开(公告)日:2006-06-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:宮川 恵介
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  • 授权日:2008-04-22
  • 公开(公告)号:US7361414
  • 申请日:2003-05-02
  • 公开(公告)日:2008-04-22
  • 当前申请(专利权)人:CANON KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:TSUBOYAMA, AKIRA | OKADA, SHINJIRO | TAKIGUCHI, TAKAO | UENO, KAZUNORI | IGAWA, SATOSHI | KAMATANI, JUN | FURUGORI, MANABU | IWAWAKI, HIRONOBU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050221115A1
  • 申请日:2003-05-02
  • 公开(公告)日:2005-10-06
  • 当前申请(专利权)人:CANON KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:TSUBOYAMA, AKIRA | OKADA, SHINJIRO | TAKIGUCHI, TAKAO | UENO, KAZUNORI | IGAWA, SATOSHI | KAMATANI, JUN | FURUGORI, MANABU | IWAWAKI, HIRONOBU
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