• 授权日:2018-03-20
  • 公开(公告)号:US9923127
  • 申请日:2014-05-09
  • 公开(公告)日:2018-03-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:TSUCHIYA, KAORU | ANZAI, AYA | SAKAKURA, MASAYUKI | NAGAI, MASAHARU | MATSUDA, YUTAKA
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1655370A
  • 申请日:2004-08-27
  • 公开(公告)日:2005-08-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:土屋薰 | 安西彩 | 坂仓真之 | 永井雅晴 | 松田丰
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101483186A
  • 申请日:2004-08-27
  • 公开(公告)日:2009-07-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:土屋薰 | 安西彩 | 坂仓真之 | 永井雅晴 | 松田丰
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  • 注释
  • 授权日:2013-04-03
  • 公开(公告)号:CN101483186B
  • 申请日:2004-08-27
  • 公开(公告)日:2013-04-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:土屋薰 | 安西彩 | 坂仓真之 | 永井雅晴 | 松田丰
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080014016A
  • 申请日:2006-05-16
  • 公开(公告)日:2008-02-13
  • 当前申请(专利权)人:미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
  • 发明人:야베마사요시 | 후고노마사요 | 이이다고이치로 | 다케우치마사코 | 오가타도모유키
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  • 授权日:2011-04-12
  • 公开(公告)号:KR101029949B1
  • 申请日:2006-05-16
  • 公开(公告)日:2011-04-19
  • 当前申请(专利权)人:미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
  • 发明人:야베마사요시 | 후고노마사요 | 이이다고이치로 | 다케우치마사코 | 오가타도모유키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100066587A
  • 申请日:2006-05-16
  • 公开(公告)日:2010-06-17
  • 当前申请(专利权)人:미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
  • 发明人:야베마사요시 | 후고노마사요 | 이이다고이치로 | 다케우치마사코 | 오가타도모유키
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  • 授权日:2010-10-15
  • 公开(公告)号:KR100989307B1
  • 申请日:2006-05-16
  • 公开(公告)日:2010-10-25
  • 当前申请(专利权)人:미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
  • 发明人:야베마사요시 | 후고노마사요 | 이이다고이치로 | 다케우치마사코 | 오가타도모유키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020030034732A
  • 申请日:2001-10-26
  • 公开(公告)日:2003-05-09
  • 当前申请(专利权)人:삼성에스디아이 주식회사
  • 发明人:김선희 | 김경한 | 김태승
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