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- 授权日:2010-04-16
- 公开(公告)号:JP4494394B2
- 申请日:2006-12-05
- 公开(公告)日:2010-06-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:下垣 智子 | 瀬尾 哲史 | 西 毅
- 授权日:2009-12-25
- 公开(公告)号:JP4429917B2
- 申请日:2003-12-15
- 公开(公告)日:2010-03-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:下垣 智子 | 瀬尾 哲史 | 西 毅
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102281659A
- 申请日:2003-12-15
- 公开(公告)日:2011-12-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:下垣智子 | 濑尾哲史 | 西毅
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2007115705A
- 申请日:2006-12-05
- 公开(公告)日:2007-05-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:下垣 智子 | 瀬尾 哲史 | 西 毅
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JPWO2004060021A5
- 申请日:2003-12-15
- 公开(公告)日:2007-02-01
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:下垣 智子 | 瀬尾 哲史 | 西 毅
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1317165A1
- 申请日:2001-07-30
- 公开(公告)日:2003-06-04
- 当前申请(专利权)人:IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 发明人:EIDA, MITSURU | TOMOIKE, KAZUHIRO
- 授权日:2013-12-04
- 公开(公告)号:EP1317165B1
- 申请日:2001-07-30
- 公开(公告)日:2013-12-04
- 当前申请(专利权)人:IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 发明人:EIDA, MITSURU | TOMOIKE, KAZUHIRO
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020020044565A
- 申请日:2001-07-30
- 公开(公告)日:2002-06-15
- 当前申请(专利权)人:이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 发明人:에이다미쓰루 | 도모이케가즈히로
- 授权日:2007-08-06
- 公开(公告)号:KR100748818B1
- 申请日:2001-07-30
- 公开(公告)日:2007-08-13
- 当前申请(专利权)人:이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 发明人:에이다미쓰루 | 도모이케가즈히로