• 授权日:2009-12-25
  • 公开(公告)号:JP4429917B2
  • 申请日:2003-12-15
  • 公开(公告)日:2010-03-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:下垣 智子 | 瀬尾 哲史 | 西 毅
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102281659A
  • 申请日:2003-12-15
  • 公开(公告)日:2011-12-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:下垣智子 | 濑尾哲史 | 西毅
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  • 授权日:2014-07-22
  • 公开(公告)号:US8785964
  • 申请日:2009-05-05
  • 公开(公告)日:2014-07-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SHITAGAKI, SATOKO | SEO, SATOSHI | NISHI, TAKESHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JPWO2004060021A5
  • 申请日:2003-12-15
  • 公开(公告)日:2007-02-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:下垣 智子 | 瀬尾 哲史 | 西 毅
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2007115705A
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2007-05-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:下垣 智子 | 瀬尾 哲史 | 西 毅
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1389085A
  • 申请日:2001-07-30
  • 公开(公告)日:2003-01-01
  • 当前申请(专利权)人:出光兴产株式会社
  • 发明人:荣田畅 | 友池和浩
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  • 授权日:2007-08-06
  • 公开(公告)号:KR100748818B1
  • 申请日:2001-07-30
  • 公开(公告)日:2007-08-13
  • 当前申请(专利权)人:이데미쓰 고산 가부시키가이샤
  • 发明人:에이다미쓰루 | 도모이케가즈히로
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020020044565A
  • 申请日:2001-07-30
  • 公开(公告)日:2002-06-15
  • 当前申请(专利权)人:이데미쓰 고산 가부시키가이샤
  • 发明人:에이다미쓰루 | 도모이케가즈히로
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  • 授权日:2013-12-04
  • 公开(公告)号:EP1317165B1
  • 申请日:2001-07-30
  • 公开(公告)日:2013-12-04
  • 当前申请(专利权)人:IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
  • 发明人:EIDA, MITSURU | TOMOIKE, KAZUHIRO
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