• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020180037158A
  • 申请日:2018-03-30
  • 公开(公告)日:2018-04-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:하타노카오루 | 세오사토시 | 나가타타카아키 | 오카노타츠야
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  • 授权日:2018-10-23
  • 公开(公告)号:KR101912584B1
  • 申请日:2018-03-30
  • 公开(公告)日:2018-10-30
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:하타노카오루 | 세오사토시 | 나가타타카아키 | 오카노타츠야
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  • 授权日:2014-08-06
  • 公开(公告)号:CN102347454B
  • 申请日:2004-06-26
  • 公开(公告)日:2014-08-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:坂仓真之 | 乡户宏充 | 土屋薰
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102347454A
  • 申请日:2004-06-26
  • 公开(公告)日:2012-02-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:坂仓真之 | 乡户宏充 | 土屋薰
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170141351A1
  • 申请日:2016-11-23
  • 公开(公告)日:2017-05-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAROU
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  • 授权日:2014-12-24
  • 公开(公告)号:EP1492390B1
  • 申请日:2004-06-17
  • 公开(公告)日:2014-12-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150129858A1
  • 申请日:2014-12-01
  • 公开(公告)日:2015-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180090710A1
  • 申请日:2017-09-25
  • 公开(公告)日:2018-03-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:2019-04-23
  • 公开(公告)号:US10270056
  • 申请日:2017-09-25
  • 公开(公告)日:2019-04-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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