• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070181912A1
  • 申请日:2007-04-10
  • 公开(公告)日:2007-08-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:IKEDA, HISAO | OHARA, HIROKI | HOSOBA, MAKOTO | SAKATA, JUNICHIRO | ITO, SHUNICHI
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  • 授权日:2011-08-17
  • 公开(公告)号:CN1700826B
  • 申请日:2005-05-20
  • 公开(公告)日:2011-08-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:池田寿雄 | 大原宏树 | 细羽诚 | 坂田淳一郎 | 伊藤俊一
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1700826A
  • 申请日:2005-05-20
  • 公开(公告)日:2005-11-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:池田寿雄 | 大原宏树 | 细羽诚 | 坂田淳一郎 | 伊藤俊一
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160268348A1
  • 申请日:2016-05-18
  • 公开(公告)日:2016-09-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:IKEDA, HISAO | OHARA, HIROKI | HOSOBA, MAKOTO | SAKATA, JUNICHIRO | ITO, SHUNICHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170207417A1
  • 申请日:2017-03-30
  • 公开(公告)日:2017-07-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:IKEDA, HISAO | OHARA, HIROKI | HOSOBA, MAKOTO | SAKATA, JUNICHIRO | ITO, SHUNICHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180315957A1
  • 申请日:2018-07-10
  • 公开(公告)日:2018-11-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:IKEDA, HISAO | OHARA, HIROKI | HOSOBA, MAKOTO | SAKATA, JUNICHIRO | ITO, SHUNICHI
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  • 授权日:2007-04-10
  • 公开(公告)号:US7202504
  • 申请日:2005-05-18
  • 公开(公告)日:2007-04-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:IKEDA, HISAO | OHARA, HIROKI | HOSOBA, MAKOTO | SAKATA, JUNICHIRO | ITO, SHUNICHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050263775A1
  • 申请日:2005-05-18
  • 公开(公告)日:2005-12-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:IKEDA, HISAO | OHARA, HIROKI | HOSOBA, MAKOTO | SAKATA, JUNICHIRO | ITO, SHUNICHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102255053A
  • 申请日:2005-05-20
  • 公开(公告)日:2011-11-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:池田寿雄 | 大原宏树 | 细羽诚 | 坂田淳一郎 | 伊藤俊一
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