• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070085783A1
  • 申请日:2006-12-13
  • 公开(公告)日:2007-04-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015132835A
  • 申请日:2015-02-24
  • 公开(公告)日:2015-07-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170053974A1
  • 申请日:2016-11-02
  • 公开(公告)日:2017-02-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20130328499A1
  • 申请日:2013-08-08
  • 公开(公告)日:2013-12-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 注释
  • 授权日:2011-10-11
  • 公开(公告)号:US8035583
  • 申请日:2006-12-13
  • 公开(公告)日:2011-10-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 注释
  • 授权日:2005-04-12
  • 公开(公告)号:US6879110
  • 申请日:2001-07-23
  • 公开(公告)日:2005-04-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20040012550A1
  • 申请日:2003-07-15
  • 公开(公告)日:2004-01-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20020047568A1
  • 申请日:2001-07-23
  • 公开(公告)日:2002-04-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 注释
  • 授权日:2009-04-29
  • 公开(公告)号:CN100483787C
  • 申请日:2000-07-24
  • 公开(公告)日:2009-04-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山崎舜平
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