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- 授权日:2016-07-27
- 公开(公告)号:CN101702303B
- 申请日:2001-04-18
- 公开(公告)日:2016-07-27
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:山崎舜平 | 小山润 | 纳光明 | 长田麻衣
- 授权日:2010-03-24
- 公开(公告)号:CN100595817C
- 申请日:2001-04-18
- 公开(公告)日:2010-03-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:山崎舜平 | 小山润 | 纳光明 | 长田麻衣
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101702303A
- 申请日:2001-04-18
- 公开(公告)日:2010-05-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:山崎舜平 | 小山润 | 纳光明 | 长田麻衣
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1598914A
- 申请日:2001-04-18
- 公开(公告)日:2005-03-23
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:山崎舜平 | 小山润 | 纳光明 | 长田麻衣
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20100045578A1
- 申请日:2009-10-30
- 公开(公告)日:2010-02-25
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI
- 授权日:2011-08-02
- 公开(公告)号:US7990348
- 申请日:2009-10-30
- 公开(公告)日:2011-08-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20110140997A1
- 申请日:2011-02-18
- 公开(公告)日:2011-06-16
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1318818A
- 申请日:2001-04-18
- 公开(公告)日:2001-10-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:山崎舜平 | 小山润 | 纳光明 | 长田麻衣
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1148466A3
- 申请日:2001-04-18
- 公开(公告)日:2009-10-14
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | OSAME, MITSUAKI | OSADA, MAI