• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020110000006A
  • 申请日:2009-06-26
  • 公开(公告)日:2011-01-03
  • 当前申请(专利权)人:단국대학교 산학협력단
  • 发明人:공명선 | 이칠원 | 김준우 | 전영민
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2006164543A
  • 申请日:2004-12-02
  • 公开(公告)日:2006-06-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社 セルバック
  • 发明人:和田 和夫
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001345184A
  • 申请日:2000-06-01
  • 公开(公告)日:2001-12-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社日本メンブレン | 株式会社神和
  • 发明人:吉田 厚英
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN103987146A
  • 申请日:2009-03-05
  • 公开(公告)日:2014-08-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:宫入秀和 | 小森茂树 | 伊佐敏行 | 梅崎敦司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2017-04-19
  • 公开(公告)号:CN103987146B
  • 申请日:2009-03-05
  • 公开(公告)日:2017-04-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:宫入秀和 | 小森茂树 | 伊佐敏行 | 梅崎敦司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140330013A1
  • 申请日:2012-11-09
  • 公开(公告)日:2014-11-06
  • 当前申请(专利权)人:TOSOH CORPORATION | SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
  • 发明人:AIHARA, HIDENORI | OKA, YUJI | NOMURA, KEISUKE | TANAKA, TSUYOSHI | UCHIDA, NAOKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2016-11-22
  • 公开(公告)号:US9502676
  • 申请日:2015-09-18
  • 公开(公告)日:2016-11-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:OHNUMA, HIDETO | MIYAIRI, NORIKO | SENDA, NAOYUKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160013437A1
  • 申请日:2015-09-18
  • 公开(公告)日:2016-01-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:OHNUMA, HIDETO | MIYAIRI, NORIKO | SENDA, NAOYUKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013030476A
  • 申请日:2012-06-22
  • 公开(公告)日:2013-02-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:大沼 英人 | 宮入 典子 | 千田 尚之
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页