• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014112535A5
  • 申请日:2013-10-25
  • 公开(公告)日:2016-11-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:瀬尾 哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019024017A
  • 申请日:2018-11-01
  • 公开(公告)日:2019-02-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:瀬尾 哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN108550608A
  • 申请日:2013-10-23
  • 公开(公告)日:2018-09-18
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:濑尾哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN104756601A
  • 申请日:2013-10-23
  • 公开(公告)日:2015-07-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:濑尾哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2782090A1
  • 申请日:2014-02-28
  • 公开(公告)日:2014-09-24
  • 当前申请(专利权)人:IGNIS INNOVATION INC.
  • 发明人:AZIZI, YASER | CHAJI, GHOLAMREZA
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170133438A1
  • 申请日:2017-01-19
  • 公开(公告)日:2017-05-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SEO, SATOSHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140117339A1
  • 申请日:2013-10-25
  • 公开(公告)日:2014-05-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SEO, SATOSHI
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  • 授权日:2017-05-23
  • 公开(公告)号:US9659527
  • 申请日:2016-04-20
  • 公开(公告)日:2017-05-23
  • 当前申请(专利权)人:IGNIS INNOVATION INC.
  • 发明人:AZIZI, YASER | CHAJI, GHOLAMREZA
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160232845A1
  • 申请日:2016-04-20
  • 公开(公告)日:2016-08-11
  • 当前申请(专利权)人:IGNIS INNOVATION INC.
  • 发明人:AZIZI, YASER | CHAJI, GHOLAMREZA
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