• 授权日:2017-07-07
  • 公开(公告)号:JP6170501B2
  • 申请日:2012-11-30
  • 公开(公告)日:2017-07-26
  • 当前申请(专利权)人:ノヴァレッド ゲーエムベーハー
  • 发明人:ファデル,オムラネ | プレットシュ,ラモーナ | ローテ,カルステン | レスマン,ルードルフ | カルディナーリ,フランソワ
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP3561876A1
  • 申请日:2012-11-30
  • 公开(公告)日:2019-10-30
  • 当前申请(专利权)人:NOVALED GMBH
  • 发明人:CARDINALI, FRANÇOIS | FADHEL, OMRANE | LESSMANN, DR. RUDOLF | PRETSCH, RAMONA | ROTHE, CARSTEN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN104247070A
  • 申请日:2012-11-30
  • 公开(公告)日:2014-12-24
  • 当前申请(专利权)人:诺瓦尔德股份有限公司
  • 发明人:欧姆莱恩·法德尔 | 拉莫娜·普雷奇 | 卡斯滕·洛特 | 鲁道夫·莱斯曼 | 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
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  • 授权日:2017-04-12
  • 公开(公告)号:CN104247070B
  • 申请日:2012-11-30
  • 公开(公告)日:2017-04-12
  • 当前申请(专利权)人:诺瓦尔德股份有限公司
  • 发明人:欧姆莱恩·法德尔 | 拉莫娜·普雷奇 | 卡斯滕·洛特 | 鲁道夫·莱斯曼 | 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
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  • 授权日:2011-11-16
  • 公开(公告)号:CN101630690B
  • 申请日:2003-01-24
  • 公开(公告)日:2011-11-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:濑尾哲史 | 山崎舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070200491A1
  • 申请日:2007-03-05
  • 公开(公告)日:2007-08-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SEO, SATOSHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20130273802A1
  • 申请日:2013-05-23
  • 公开(公告)日:2013-10-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SEO, SATOSHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:2013-05-17
  • 公开(公告)号:JP5271993B2
  • 申请日:2010-11-17
  • 公开(公告)日:2013-08-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:瀬尾 哲史 | 山崎 舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101630690A
  • 申请日:2003-01-24
  • 公开(公告)日:2010-01-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:濑尾哲史 | 山崎舜平
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