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- 授权日:2018-12-21
- 公开(公告)号:CN102738180B
- 申请日:2005-12-02
- 公开(公告)日:2018-12-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:吉田泰则 | 木村肇 | 前川慎志 | 中村理 | 山崎舜平
- 授权日:2015-09-01
- 公开(公告)号:US9123625
- 申请日:2014-04-24
- 公开(公告)日:2015-09-01
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME | MAEKAWA, SHINJI | NAKAMURA, OSAMU | YAMAZAKI, SHUNPEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140319491A1
- 申请日:2014-04-24
- 公开(公告)日:2014-10-30
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME | MAEKAWA, SHINJI | NAKAMURA, OSAMU | YAMAZAKI, SHUNPEI
- 授权日:2015-04-22
- 公开(公告)号:CN102569342B
- 申请日:2005-12-02
- 公开(公告)日:2015-04-22
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:吉田泰则 | 木村肇 | 前川慎志 | 中村理 | 山崎舜平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102738180A
- 申请日:2005-12-02
- 公开(公告)日:2012-10-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:吉田泰则 | 木村肇 | 前川慎志 | 中村理 | 山崎舜平
- 授权日:2015-05-13
- 公开(公告)号:CN102496346B
- 申请日:2005-12-02
- 公开(公告)日:2015-05-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:吉田泰则 | 木村肇 | 前川慎志 | 中村理 | 山崎舜平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102496346A
- 申请日:2005-12-02
- 公开(公告)日:2012-06-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:吉田泰则 | 木村肇 | 前川慎志 | 中村理 | 山崎舜平
- 授权日:2012-01-24
- 公开(公告)号:US8102347
- 申请日:2010-05-20
- 公开(公告)日:2012-01-24
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME | MAEKAWA, SHINJI | NAKAMURA, OSAMU | YAMAZAKI, SHUNPEI
- 授权日:2010-06-08
- 公开(公告)号:US7733315
- 申请日:2005-12-02
- 公开(公告)日:2010-06-08
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME | MAEKAWA, SHINJI | NAKAMURA, OSAMU | YAMAZAKI, SHUNPEI