• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020020080002A
  • 申请日:2002-01-11
  • 公开(公告)日:2002-10-21
  • 当前申请(专利权)人:소니 주식회사
  • 发明人:유모토아키라 | 아사노미츠르
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  • 授权日:2008-06-25
  • 公开(公告)号:KR100842721B1
  • 申请日:2002-01-11
  • 公开(公告)日:2008-07-01
  • 当前申请(专利权)人:소니 주식회사
  • 发明人:유모토아키라 | 아사노미츠르
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100031653A
  • 申请日:2008-07-14
  • 公开(公告)日:2010-03-24
  • 当前申请(专利权)人:이데미쓰 고산 가부시키가이샤
  • 发明人:모리시따,히로노부
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  • 授权日:2014-06-26
  • 公开(公告)号:KR101414914B1
  • 申请日:2008-07-14
  • 公开(公告)日:2014-07-04
  • 当前申请(专利权)人:이데미쓰 고산 가부시키가이샤
  • 发明人:모리시따,히로노부
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  • 授权日:2004-12-21
  • 公开(公告)号:US6833668
  • 申请日:2000-09-07
  • 公开(公告)日:2004-12-21
  • 当前申请(专利权)人:SANYO ELECTRIC CO., LTD.
  • 发明人:YAMADA, TSUTOMU | KOMIYA, NAOAKI
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  • 授权日:2009-12-30
  • 公开(公告)号:EP1128439B1
  • 申请日:2001-02-28
  • 公开(公告)日:2009-12-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO | KOYAMA, JUN, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO | INUKAI, KAZUTAKA, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1128439A3
  • 申请日:2001-02-28
  • 公开(公告)日:2006-06-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO | KOYAMA, JUN, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO | INUKAI, KAZUTAKA, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1128439A2
  • 申请日:2001-02-28
  • 公开(公告)日:2001-08-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO | KOYAMA, JUN, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO | INUKAI, KAZUTAKA, C/O SEMICONDUCTOR ENERGY LAB.CO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2002221917A
  • 申请日:2001-09-28
  • 公开(公告)日:2002-08-09
  • 当前申请(专利权)人:ソニー株式会社
  • 发明人:浅野 慎 | 山田 二郎 | 森 敬郎 | 関谷 光信
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