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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013178528A
  • 申请日:2013-04-02
  • 公开(公告)日:2013-09-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190181162A1
  • 申请日:2018-11-07
  • 公开(公告)日:2019-06-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20130228783A1
  • 申请日:2013-04-03
  • 公开(公告)日:2013-09-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2018-11-13
  • 公开(公告)号:US10128280
  • 申请日:2017-11-16
  • 公开(公告)日:2018-11-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2309479A3
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-06-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2309479A2
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-04-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2302614A2
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-03-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2016-04-20
  • 公开(公告)号:EP2302614B1
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2016-04-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013238861A
  • 申请日:2013-06-14
  • 公开(公告)日:2013-11-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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