• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101042840A
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2007-09-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2011-12-14
  • 公开(公告)号:CN101042840B
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-12-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1419228A
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2003-05-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2007-11-21
  • 公开(公告)号:CN100350447C
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2007-11-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101127188A
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2008-02-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2302614A3
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-06-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015172754A
  • 申请日:2015-04-17
  • 公开(公告)日:2015-10-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2017-11-24
  • 公开(公告)号:JP6247716B2
  • 申请日:2016-04-22
  • 公开(公告)日:2017-12-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2017-11-21
  • 公开(公告)号:US9825068
  • 申请日:2013-04-03
  • 公开(公告)日:2017-11-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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