• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20130228783A1
  • 申请日:2013-04-03
  • 公开(公告)日:2013-09-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2017-11-21
  • 公开(公告)号:US9825068
  • 申请日:2013-04-03
  • 公开(公告)日:2017-11-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2018-11-13
  • 公开(公告)号:US10128280
  • 申请日:2017-11-16
  • 公开(公告)日:2018-11-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190181162A1
  • 申请日:2018-11-07
  • 公开(公告)日:2019-06-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2302614A3
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-06-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180138215A1
  • 申请日:2017-11-16
  • 公开(公告)日:2018-05-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2018-04-06
  • 公开(公告)号:JP6315718B2
  • 申请日:2016-06-15
  • 公开(公告)日:2018-04-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2016-07-22
  • 公开(公告)号:JP5973025B2
  • 申请日:2015-04-17
  • 公开(公告)日:2016-08-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2017-11-24
  • 公开(公告)号:JP6247716B2
  • 申请日:2016-04-22
  • 公开(公告)日:2017-12-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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