• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100001930A1
  • 申请日:2009-09-14
  • 公开(公告)日:2010-01-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:2015-02-10
  • 公开(公告)号:US8951650
  • 申请日:2012-06-22
  • 公开(公告)日:2015-02-10
  • 当前申请(专利权)人:KONICA MINOLTA, INC.
  • 发明人:YASUKAWA, NORIKO | KITA, HIROSHI | KATOH, EISAKU | TANAKA, TATSUO | OTSU, SHINYA | KATAKURA, RIE | OZEKI, HIDEKANE | TAKA, HIDEO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1427388A
  • 申请日:2002-03-28
  • 公开(公告)日:2003-07-02
  • 当前申请(专利权)人:三星显示有限公司
  • 发明人:三上佳朗 | 大内贵之 | 秋元肇 | 佐藤敏浩
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  • 授权日:2005-08-03
  • 公开(公告)号:CN1213393C
  • 申请日:2002-03-28
  • 公开(公告)日:2005-08-03
  • 当前申请(专利权)人:三星显示有限公司
  • 发明人:三上佳朗 | 大内贵之 | 秋元肇 | 佐藤敏浩
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  • 授权日:2012-05-02
  • 公开(公告)号:CN101127188B
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2012-05-02
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2017-11-24
  • 公开(公告)号:JP6247716B2
  • 申请日:2016-04-22
  • 公开(公告)日:2017-12-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2014-11-14
  • 公开(公告)号:JP5648088B2
  • 申请日:2013-06-14
  • 公开(公告)日:2015-01-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013238861A
  • 申请日:2013-06-14
  • 公开(公告)日:2013-11-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2302614A2
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2011-03-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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