• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2007525023A
  • 申请日:2004-12-28
  • 公开(公告)日:2007-08-30
  • 当前申请(专利权)人:イーストマン コダック カンパニー
  • 发明人:リャオ,リャン-シェン | クルベク,ケビン ポール
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2007525023A5
  • 申请日:2004-12-28
  • 公开(公告)日:2008-01-17
  • 当前申请(专利权)人:イーストマン コダック カンパニー
  • 发明人:リャオ,リャン-シェン | クルベク,ケビン ポール
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008203660A
  • 申请日:2007-02-21
  • 公开(公告)日:2008-09-04
  • 当前申请(专利权)人:ソニー株式会社
  • 发明人:山下 淳一 | 内野 勝秀
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1897300A
  • 申请日:2006-04-14
  • 公开(公告)日:2007-01-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:秋元健吾 | 大谷久 | 广末美佐子
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  • 授权日:2010-01-06
  • 公开(公告)号:CN100578807C
  • 申请日:2006-04-14
  • 公开(公告)日:2010-01-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:秋元健吾 | 大谷久 | 广末美佐子
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120123361A
  • 申请日:2010-11-24
  • 公开(公告)日:2012-11-08
  • 当前申请(专利权)人:메르크 파텐트 게엠베하
  • 发明人:제임스마크 | 곤칼베스 미스키에비츠마그다 | 메이필립에드워드 | 낸슨라나 | 에펜베르거루트 | 본라트클라우스 | 클루게에드가
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020060109334A
  • 申请日:2006-04-14
  • 公开(公告)日:2006-10-19
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:아키모토,켄고 | 오타니,히사시 | 히로수에,미사코
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110114936A1
  • 申请日:2011-01-20
  • 公开(公告)日:2011-05-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:AKIMOTO, KENGO | OHTANI, HISASHI | HIROSUE, MISAKO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102668151A
  • 申请日:2010-11-24
  • 公开(公告)日:2012-09-12
  • 当前申请(专利权)人:默克专利有限公司
  • 发明人:马克·詹姆斯 | 马格达·康凯文斯-麦斯凯万茨 | 菲利普·爱德华·马伊 | 拉纳·纳那桑 | 鲁斯·埃芬贝格尔 | 克劳斯·邦纳德 | 埃德加·克吕热
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