• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020150055105A
  • 申请日:2010-09-30
  • 公开(公告)日:2015-05-20
  • 当前申请(专利权)人:히타치가세이가부시끼가이샤
  • 发明人:후뉴우시게아키 | 이시쓰카겐이치 | 호시요스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140052084A
  • 申请日:2010-09-30
  • 公开(公告)日:2014-05-02
  • 当前申请(专利权)人:히타치가세이가부시끼가이샤
  • 发明人:후뉴우시게아키 | 이시쓰카겐이치 | 호시요스케
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  • 授权日:2017-08-23
  • 公开(公告)号:KR101772499B1
  • 申请日:2010-09-30
  • 公开(公告)日:2017-08-29
  • 当前申请(专利权)人:히타치가세이가부시끼가이샤
  • 发明人:후뉴우시게아키 | 이시쓰카겐이치 | 호시요스케
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  • 授权日:2016-02-02
  • 公开(公告)号:KR101592960B1
  • 申请日:2010-09-30
  • 公开(公告)日:2016-02-12
  • 当前申请(专利权)人:히타치가세이가부시끼가이샤
  • 发明人:후뉴우시게아키 | 이시쓰카겐이치 | 호시요스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017041450A
  • 申请日:2016-09-08
  • 公开(公告)日:2017-02-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:大澤 信晴 | 佐々木 俊毅 | 瀬尾 哲史
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  • 授权日:2016-09-16
  • 公开(公告)号:JP6005962B2
  • 申请日:2012-03-23
  • 公开(公告)日:2016-10-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:大澤 信晴 | 佐々木 俊毅 | 瀬尾 哲史
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  • 授权日:2020-03-26
  • 公开(公告)号:JP6681961B2
  • 申请日:2018-10-30
  • 公开(公告)日:2020-04-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:大澤 信晴 | 佐々木 俊毅 | 瀬尾 哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012216519A
  • 申请日:2012-03-23
  • 公开(公告)日:2012-11-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:大澤 信晴 | 佐々木 俊毅 | 瀬尾 哲史
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180026233A1
  • 申请日:2017-08-14
  • 公开(公告)日:2018-01-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:OHSAWA, NOBUHARU | SASAKI, TOSHIKI | SEO, SATOSHI
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