• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017054152A5
  • 申请日:2016-12-26
  • 公开(公告)日:2017-08-31
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016153913A
  • 申请日:2016-04-18
  • 公开(公告)日:2016-08-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2013-02-08
  • 公开(公告)号:JP5194071B2
  • 申请日:2010-07-26
  • 公开(公告)日:2013-05-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2017-05-10
  • 公开(公告)号:EP2270583B1
  • 申请日:2006-11-20
  • 公开(公告)日:2017-05-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190162998A1
  • 申请日:2018-08-20
  • 公开(公告)日:2019-05-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020070058971A
  • 申请日:2006-11-30
  • 公开(公告)日:2007-06-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2014-12-01
  • 公开(公告)号:KR101469934B1
  • 申请日:2006-11-30
  • 公开(公告)日:2014-12-05
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120019371A
  • 申请日:2011-08-11
  • 公开(公告)日:2012-03-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 재팬 디스프레이
  • 发明人:노구치코지 | 키다요시토시 | 아즈미코헤이
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  • 授权日:2017-10-10
  • 公开(公告)号:KR101786102B1
  • 申请日:2011-08-11
  • 公开(公告)日:2017-11-15
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 재팬 디스프레이
  • 发明人:노구치코지 | 키다요시토시 | 아즈미코헤이
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