• 授权日:2016-01-12
  • 公开(公告)号:US9235090
  • 申请日:2014-03-24
  • 公开(公告)日:2016-01-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140204325A1
  • 申请日:2014-03-24
  • 公开(公告)日:2014-07-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020070058971A
  • 申请日:2006-11-30
  • 公开(公告)日:2007-06-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170119322A
  • 申请日:2017-10-16
  • 公开(公告)日:2017-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO. LTD.
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2018-09-14
  • 公开(公告)号:KR101900848B1
  • 申请日:2017-10-16
  • 公开(公告)日:2018-09-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO. LTD.
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200030522A
  • 申请日:2020-03-12
  • 公开(公告)日:2020-03-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메 | 우오치 히데키
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140009092A
  • 申请日:2013-12-27
  • 公开(公告)日:2014-01-22
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2017-10-10
  • 公开(公告)号:KR101786102B1
  • 申请日:2011-08-11
  • 公开(公告)日:2017-11-15
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 재팬 디스프레이
  • 发明人:노구치코지 | 키다요시토시 | 아즈미코헤이
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120019371A
  • 申请日:2011-08-11
  • 公开(公告)日:2012-03-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 재팬 디스프레이
  • 发明人:노구치코지 | 키다요시토시 | 아즈미코헤이
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