• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016040637A
  • 申请日:2015-12-23
  • 公开(公告)日:2016-03-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017054152A
  • 申请日:2016-12-26
  • 公开(公告)日:2017-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1979275A
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2007-06-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:2013-03-27
  • 公开(公告)号:CN1979275B
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2013-03-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:2014-12-01
  • 公开(公告)号:KR101469934B1
  • 申请日:2006-11-30
  • 公开(公告)日:2014-12-05
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190162998A1
  • 申请日:2018-08-20
  • 公开(公告)日:2019-05-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2016-04-19
  • 公开(公告)号:US9316881
  • 申请日:2013-12-24
  • 公开(公告)日:2016-04-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140111727A1
  • 申请日:2013-12-24
  • 公开(公告)日:2014-04-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190302501A1
  • 申请日:2019-06-10
  • 公开(公告)日:2019-10-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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