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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019168726A
- 申请日:2019-06-28
- 公开(公告)日:2019-10-03
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016153913A
- 申请日:2016-04-18
- 公开(公告)日:2016-08-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:2013-02-08
- 公开(公告)号:JP5194071B2
- 申请日:2010-07-26
- 公开(公告)日:2013-05-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:2020-01-21
- 公开(公告)号:US10539847
- 申请日:2019-06-10
- 公开(公告)日:2020-01-21
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190162998A1
- 申请日:2018-08-20
- 公开(公告)日:2019-05-30
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2016-01-12
- 公开(公告)号:US9235090
- 申请日:2014-03-24
- 公开(公告)日:2016-01-12
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140204325A1
- 申请日:2014-03-24
- 公开(公告)日:2014-07-24
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020070058971A
- 申请日:2006-11-30
- 公开(公告)日:2007-06-11
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020130095706A
- 申请日:2013-07-26
- 公开(公告)日:2013-08-28
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키