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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017054152A
- 申请日:2016-12-26
- 公开(公告)日:2017-03-16
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017054152A5
- 申请日:2016-12-26
- 公开(公告)日:2017-08-31
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016040637A
- 申请日:2015-12-23
- 公开(公告)日:2016-03-24
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1979275A
- 申请日:2006-12-05
- 公开(公告)日:2007-06-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:2013-03-27
- 公开(公告)号:CN1979275B
- 申请日:2006-12-05
- 公开(公告)日:2013-03-27
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20070126969A1
- 申请日:2006-12-01
- 公开(公告)日:2007-06-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2010-08-10
- 公开(公告)号:US7773182
- 申请日:2006-12-01
- 公开(公告)日:2010-08-10
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2017-03-08
- 公开(公告)号:EP1793266B1
- 申请日:2006-11-20
- 公开(公告)日:2017-03-08
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2010256931A
- 申请日:2010-07-26
- 公开(公告)日:2010-11-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴