• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2270583A3
  • 申请日:2006-11-20
  • 公开(公告)日:2013-07-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2270583A2
  • 申请日:2006-11-20
  • 公开(公告)日:2011-01-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019168726A
  • 申请日:2019-06-28
  • 公开(公告)日:2019-10-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016153913A
  • 申请日:2016-04-18
  • 公开(公告)日:2016-08-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2013-02-08
  • 公开(公告)号:JP5194071B2
  • 申请日:2010-07-26
  • 公开(公告)日:2013-05-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013047857A
  • 申请日:2012-12-05
  • 公开(公告)日:2013-03-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016040637A
  • 申请日:2015-12-23
  • 公开(公告)日:2016-03-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017054152A
  • 申请日:2016-12-26
  • 公开(公告)日:2017-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:2019-06-18
  • 公开(公告)号:US10324347
  • 申请日:2018-08-20
  • 公开(公告)日:2019-06-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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