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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019133201A
- 申请日:2019-05-16
- 公开(公告)日:2019-08-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019191614A
- 申请日:2019-08-07
- 公开(公告)日:2019-10-31
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2010256931A
- 申请日:2010-07-26
- 公开(公告)日:2010-11-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20120194758A1
- 申请日:2012-04-10
- 公开(公告)日:2012-08-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20160195785A1
- 申请日:2016-03-14
- 公开(公告)日:2016-07-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020070058971A
- 申请日:2006-11-30
- 公开(公告)日:2007-06-11
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
- 授权日:2012-04-24
- 公开(公告)号:US8164729
- 申请日:2011-01-28
- 公开(公告)日:2012-04-24
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20110134353A1
- 申请日:2011-01-28
- 公开(公告)日:2011-06-09
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2018-02-27
- 公开(公告)号:US9904127
- 申请日:2017-01-04
- 公开(公告)日:2018-02-27
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI