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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019133201A
- 申请日:2019-05-16
- 公开(公告)日:2019-08-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019191614A
- 申请日:2019-08-07
- 公开(公告)日:2019-10-31
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2010256931A
- 申请日:2010-07-26
- 公开(公告)日:2010-11-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN103149750A
- 申请日:2006-12-05
- 公开(公告)日:2013-06-12
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20160195785A1
- 申请日:2016-03-14
- 公开(公告)日:2016-07-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20120194758A1
- 申请日:2012-04-10
- 公开(公告)日:2012-08-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2018-02-27
- 公开(公告)号:US9904127
- 申请日:2017-01-04
- 公开(公告)日:2018-02-27
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2013-12-31
- 公开(公告)号:US8619227
- 申请日:2012-04-10
- 公开(公告)日:2013-12-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20170115538A1
- 申请日:2017-01-04
- 公开(公告)日:2017-04-27
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI