• 授权日:2012-04-24
  • 公开(公告)号:US8164729
  • 申请日:2011-01-28
  • 公开(公告)日:2012-04-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110134353A1
  • 申请日:2011-01-28
  • 公开(公告)日:2011-06-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020130095706A
  • 申请日:2013-07-26
  • 公开(公告)日:2013-08-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170119322A
  • 申请日:2017-10-16
  • 公开(公告)日:2017-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO. LTD.
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2018-09-14
  • 公开(公告)号:KR101900848B1
  • 申请日:2017-10-16
  • 公开(公告)日:2018-09-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO. LTD.
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:2015-09-10
  • 公开(公告)号:KR101553688B1
  • 申请日:2014-02-20
  • 公开(公告)日:2015-09-17
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140030296A
  • 申请日:2014-02-20
  • 公开(公告)日:2014-03-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메 | 우오치히데키
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200030522A
  • 申请日:2020-03-12
  • 公开(公告)日:2020-03-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메 | 우오치 히데키
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  • 授权日:2020-03-13
  • 公开(公告)号:KR102091109B1
  • 申请日:2019-03-04
  • 公开(公告)日:2020-03-19
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메 | 우오치 히데키
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