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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018128682A
- 申请日:2018-02-22
- 公开(公告)日:2018-08-16
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012226385A
- 申请日:2012-08-21
- 公开(公告)日:2012-11-15
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012083738A5
- 申请日:2011-09-14
- 公开(公告)日:2014-08-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:2013-03-15
- 公开(公告)号:JP5223023B2
- 申请日:2012-08-21
- 公开(公告)日:2013-06-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:2016-09-09
- 公开(公告)号:JP6001127B2
- 申请日:2015-04-10
- 公开(公告)日:2016-10-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:2015-02-10
- 公开(公告)号:US8953112
- 申请日:2012-08-30
- 公开(公告)日:2015-02-10
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MIYAKE, HIROYUKI
- 授权日:2016-01-05
- 公开(公告)号:US9230994
- 申请日:2011-08-18
- 公开(公告)日:2016-01-05
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MIYAKE, HIROYUKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012083738A
- 申请日:2011-09-14
- 公开(公告)日:2012-04-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:2019-04-30
- 公开(公告)号:KR101975742B1
- 申请日:2011-09-14
- 公开(公告)日:2019-05-09
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:미야케 히로유키