• 授权日:2016-10-07
  • 公开(公告)号:JP6016957B2
  • 申请日:2015-02-10
  • 公开(公告)日:2016-10-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 小山 潤 | 三宅 博之 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN110824800A
  • 申请日:2010-09-28
  • 公开(公告)日:2020-02-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山崎舜平 | 小山润 | 三宅博之 | 津吹将志 | 野田耕生
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180364510A1
  • 申请日:2018-08-23
  • 公开(公告)日:2018-12-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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  • 授权日:2019-06-04
  • 公开(公告)号:US10310348
  • 申请日:2018-08-23
  • 公开(公告)日:2019-06-04
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020180031807A
  • 申请日:2010-09-28
  • 公开(公告)日:2018-03-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마자끼슌뻬이 | 고야마준 | 미야께히로유끼 | 쯔부꾸마사시 | 노다고세이
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200021554A
  • 申请日:2010-09-28
  • 公开(公告)日:2020-02-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마자끼 슌뻬이 | 고야마 준 | 미야께 히로유끼 | 쯔부꾸 마사시 | 노다 고세이
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  • 授权日:2017-10-20
  • 公开(公告)号:JP6229088B2
  • 申请日:2017-04-21
  • 公开(公告)日:2017-11-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 小山 潤 | 三宅 博之 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011141523A
  • 申请日:2010-10-12
  • 公开(公告)日:2011-07-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 小山 潤 | 三宅 博之 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015096981A
  • 申请日:2015-02-10
  • 公开(公告)日:2015-05-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 小山 潤 | 三宅 博之 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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