• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140037175A
  • 申请日:2014-02-27
  • 公开(公告)日:2014-03-26
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190045113A
  • 申请日:2019-04-19
  • 公开(公告)日:2019-05-02
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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  • 授权日:2016-01-14
  • 公开(公告)号:KR101587029B1
  • 申请日:2015-02-27
  • 公开(公告)日:2016-01-25
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20080136990A1
  • 申请日:2007-10-24
  • 公开(公告)日:2008-06-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2011-01-18
  • 公开(公告)号:US7872722
  • 申请日:2007-10-24
  • 公开(公告)日:2011-01-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008116502A
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN106054470A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2016-10-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102495501A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2012-06-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2014-07-15
  • 公开(公告)号:US8780307
  • 申请日:2012-03-01
  • 公开(公告)日:2014-07-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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