• 授权日:2016-08-03
  • 公开(公告)号:CN102495501B
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2016-08-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2014-07-15
  • 公开(公告)号:US8780307
  • 申请日:2012-03-01
  • 公开(公告)日:2014-07-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2017-11-28
  • 公开(公告)号:US9829761
  • 申请日:2015-02-23
  • 公开(公告)日:2017-11-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150248044A1
  • 申请日:2015-02-23
  • 公开(公告)日:2015-09-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008116502A
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2013-03-08
  • 公开(公告)号:JP5216204B2
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2013-06-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080039313A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA,HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180088425A1
  • 申请日:2017-11-27
  • 公开(公告)日:2018-03-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2020-06-30
  • 公开(公告)号:US10698277
  • 申请日:2017-11-27
  • 公开(公告)日:2020-06-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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