• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190100140A
  • 申请日:2019-08-20
  • 公开(公告)日:2019-08-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2017-11-28
  • 公开(公告)号:US9829761
  • 申请日:2015-02-23
  • 公开(公告)日:2017-11-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150248044A1
  • 申请日:2015-02-23
  • 公开(公告)日:2015-09-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080039313A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA,HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2011-01-18
  • 公开(公告)号:US7872722
  • 申请日:2007-10-24
  • 公开(公告)日:2011-01-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20080136990A1
  • 申请日:2007-10-24
  • 公开(公告)日:2008-06-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN106054470A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2016-10-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102495501A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2012-06-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120162561A1
  • 申请日:2012-03-01
  • 公开(公告)日:2012-06-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页