• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110134347A1
  • 申请日:2011-02-14
  • 公开(公告)日:2011-06-09
  • 当前申请(专利权)人:3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
  • 发明人:BROTT, ROBERT L. | BRYAN, WILLIAM J. | LUNDIN, DAVID J. | MEIS, MICHAEL A. | SCHULTZ, JOHN C.
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180088425A1
  • 申请日:2017-11-27
  • 公开(公告)日:2018-03-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2020-06-30
  • 公开(公告)号:US10698277
  • 申请日:2017-11-27
  • 公开(公告)日:2020-06-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120162561A1
  • 申请日:2012-03-01
  • 公开(公告)日:2012-06-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190045113A
  • 申请日:2019-04-19
  • 公开(公告)日:2019-05-02
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008116502A
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080039313A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA,HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140037175A
  • 申请日:2014-02-27
  • 公开(公告)日:2014-03-26
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA HAJIME
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190100140A
  • 申请日:2019-08-20
  • 公开(公告)日:2019-08-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页