• 授权日:2014-06-18
  • 公开(公告)号:KR101411697B1
  • 申请日:2007-09-26
  • 公开(公告)日:2014-06-25
  • 当前申请(专利权)人:쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
  • 发明人:브롯로버트엘. | 슐츠존씨. | 넬슨존씨. | 브라이언윌리엄제이. | 위버빌리엘. | 브리엄스코트이. | 룬딘데이비드제이. | 마이스마이클에이. | 에인즈데일엘. | 카우치마이클피.
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  • 授权日:2014-07-15
  • 公开(公告)号:US8780307
  • 申请日:2012-03-01
  • 公开(公告)日:2014-07-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2013-03-08
  • 公开(公告)号:JP5216204B2
  • 申请日:2006-10-31
  • 公开(公告)日:2013-06-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120162561A1
  • 申请日:2012-03-01
  • 公开(公告)日:2012-06-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2015-02-24
  • 公开(公告)号:US8964156
  • 申请日:2014-07-03
  • 公开(公告)日:2015-02-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140313445A1
  • 申请日:2014-07-03
  • 公开(公告)日:2014-10-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080039313A
  • 申请日:2007-10-31
  • 公开(公告)日:2008-05-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA,HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190100140A
  • 申请日:2019-08-20
  • 公开(公告)日:2019-08-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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  • 授权日:2016-01-14
  • 公开(公告)号:KR101587029B1
  • 申请日:2015-02-27
  • 公开(公告)日:2016-01-25
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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