• 授权日:2015-11-25
  • 公开(公告)号:CN101750821B
  • 申请日:2009-12-02
  • 公开(公告)日:2015-11-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介
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  • 授权日:2018-10-09
  • 公开(公告)号:US10095071
  • 申请日:2016-05-16
  • 公开(公告)日:2018-10-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100063660A
  • 申请日:2009-11-30
  • 公开(公告)日:2010-06-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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  • 授权日:2016-05-24
  • 公开(公告)号:US9348189
  • 申请日:2013-03-05
  • 公开(公告)日:2016-05-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:2015-09-02
  • 公开(公告)号:KR101551305B1
  • 申请日:2009-11-30
  • 公开(公告)日:2015-09-08
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100134710A1
  • 申请日:2009-11-30
  • 公开(公告)日:2010-06-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010156960A
  • 申请日:2009-11-26
  • 公开(公告)日:2010-07-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101750821A
  • 申请日:2009-12-02
  • 公开(公告)日:2010-06-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN105137690A
  • 申请日:2009-12-02
  • 公开(公告)日:2015-12-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介
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