• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20020126246A1
  • 申请日:2001-05-02
  • 公开(公告)日:2002-09-12
  • 当前申请(专利权)人:LG DISPLAY CO., LTD.
  • 发明人:OH, YOUNG JIN | CHOI, JAE BEOM
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101083067A
  • 申请日:2007-06-01
  • 公开(公告)日:2007-12-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 梅崎敦司 | 山崎舜平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101750821A
  • 申请日:2009-12-02
  • 公开(公告)日:2010-06-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100134710A1
  • 申请日:2009-11-30
  • 公开(公告)日:2010-06-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2018-10-09
  • 公开(公告)号:US10095071
  • 申请日:2016-05-16
  • 公开(公告)日:2018-10-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2016-05-24
  • 公开(公告)号:US9348189
  • 申请日:2013-03-05
  • 公开(公告)日:2016-05-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190129259A1
  • 申请日:2018-10-04
  • 公开(公告)日:2019-05-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020042314A
  • 申请日:2019-12-20
  • 公开(公告)日:2020-03-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017097383A
  • 申请日:2017-02-20
  • 公开(公告)日:2017-06-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页