• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101501557A
  • 申请日:2007-06-14
  • 公开(公告)日:2009-08-05
  • 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
  • 发明人:市冈秀树 | 山本智彦
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101083067A
  • 申请日:2007-06-01
  • 公开(公告)日:2007-12-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 梅崎敦司 | 山崎舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN105137690A
  • 申请日:2009-12-02
  • 公开(公告)日:2015-12-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020042314A
  • 申请日:2019-12-20
  • 公开(公告)日:2020-03-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:2013-03-12
  • 公开(公告)号:US8395716
  • 申请日:2009-11-30
  • 公开(公告)日:2013-03-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190129259A1
  • 申请日:2018-10-04
  • 公开(公告)日:2019-05-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20130176516A1
  • 申请日:2013-03-05
  • 公开(公告)日:2013-07-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101750821A
  • 申请日:2009-12-02
  • 公开(公告)日:2010-06-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100134710A1
  • 申请日:2009-11-30
  • 公开(公告)日:2010-06-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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