• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140132872A1
  • 申请日:2014-01-13
  • 公开(公告)日:2014-05-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180024402A1
  • 申请日:2017-07-10
  • 公开(公告)日:2018-01-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2017-07-11
  • 公开(公告)号:US9703140
  • 申请日:2015-08-06
  • 公开(公告)日:2017-07-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160033820A1
  • 申请日:2015-08-06
  • 公开(公告)日:2016-02-04
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190324321A1
  • 申请日:2019-07-03
  • 公开(公告)日:2019-10-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2019-10-15
  • 公开(公告)号:US10444564
  • 申请日:2019-07-03
  • 公开(公告)日:2019-10-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019197240A
  • 申请日:2019-08-26
  • 公开(公告)日:2019-11-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015146053A5
  • 申请日:2015-05-20
  • 公开(公告)日:2016-01-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2012-09-05
  • 公开(公告)号:CN1991545B
  • 申请日:2006-12-28
  • 公开(公告)日:2012-09-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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