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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012194592A
- 申请日:2012-07-16
- 公开(公告)日:2012-10-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2012-09-05
- 公开(公告)号:CN1991545B
- 申请日:2006-12-28
- 公开(公告)日:2012-09-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2017-07-11
- 公开(公告)号:US9703140
- 申请日:2015-08-06
- 公开(公告)日:2017-07-11
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20160033820A1
- 申请日:2015-08-06
- 公开(公告)日:2016-02-04
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190377225A1
- 申请日:2019-08-22
- 公开(公告)日:2019-12-12
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140132872A1
- 申请日:2014-01-13
- 公开(公告)日:2014-05-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1991545A
- 申请日:2006-12-28
- 公开(公告)日:2007-07-04
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014115677A
- 申请日:2014-02-20
- 公开(公告)日:2014-06-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012032836A
- 申请日:2011-11-03
- 公开(公告)日:2012-02-16
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇