• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140078132A1
  • 申请日:2013-11-25
  • 公开(公告)日:2014-03-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012256052A
  • 申请日:2012-06-25
  • 公开(公告)日:2012-12-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016191920A5
  • 申请日:2016-04-18
  • 公开(公告)日:2017-05-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011145666A5
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2012-06-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 授权日:2012-07-06
  • 公开(公告)号:JP5031086B2
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2012-09-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200006636A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2020-01-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마 준 | 미야께 히로유끼
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  • 授权日:2010-08-20
  • 公开(公告)号:KR100978426B1
  • 申请日:2005-06-28
  • 公开(公告)日:2010-08-26
  • 当前申请(专利权)人:샤프 가부시키가이샤
  • 发明人:SAKAI, AKIRA
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100037658A
  • 申请日:2005-06-28
  • 公开(公告)日:2010-04-09
  • 当前申请(专利权)人:샤프 가부시키가이샤
  • 发明人:SAKAI, AKIRA
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  • 注释
  • 授权日:2012-10-09
  • 公开(公告)号:US8284358
  • 申请日:2012-02-10
  • 公开(公告)日:2012-10-09
  • 当前申请(专利权)人:SHARP KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:SAKAI, AKIRA
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