• 授权日:2016-08-03
  • 公开(公告)号:CN102656625B
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2016-08-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102656625A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2012-09-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200006636A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2020-01-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마 준 | 미야께 히로유끼
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020120105481A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2012-09-25
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020130063035A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2013-06-13
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140078132A1
  • 申请日:2013-11-25
  • 公开(公告)日:2014-03-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101852950A
  • 申请日:2005-06-28
  • 公开(公告)日:2010-10-06
  • 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
  • 发明人:坂井彰
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2011-10-19
  • 公开(公告)号:CN101852950B
  • 申请日:2005-06-28
  • 公开(公告)日:2011-10-19
  • 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
  • 发明人:坂井彰
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010072658A
  • 申请日:2009-11-06
  • 公开(公告)日:2010-04-02
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:坂井 彰
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页