• 授权日:2016-02-02
  • 公开(公告)号:US9251748
  • 申请日:2014-11-20
  • 公开(公告)日:2016-02-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150154925A1
  • 申请日:2014-11-20
  • 公开(公告)日:2015-06-04
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012256052A
  • 申请日:2012-06-25
  • 公开(公告)日:2012-12-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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标题
表示装置
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015092255A
  • 申请日:2014-12-05
  • 公开(公告)日:2015-05-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011145666A5
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2012-06-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 授权日:2012-07-06
  • 公开(公告)号:JP5031086B2
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2012-09-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013137565A
  • 申请日:2013-02-22
  • 公开(公告)日:2013-07-11
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102656625A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2012-09-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
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  • 授权日:2016-08-03
  • 公开(公告)号:CN102656625B
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2016-08-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
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