• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020130063035A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2013-06-13
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
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  • 授权日:2016-08-03
  • 公开(公告)号:CN102656625B
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2016-08-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102656625A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2012-09-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013137565A
  • 申请日:2013-02-22
  • 公开(公告)日:2013-07-11
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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标题
表示装置
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016191920A
  • 申请日:2016-04-18
  • 公开(公告)日:2016-11-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011145666A
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2011-07-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016191920A5
  • 申请日:2016-04-18
  • 公开(公告)日:2017-05-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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标题
表示装置
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2018081313A
  • 申请日:2017-12-19
  • 公开(公告)日:2018-05-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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  • 授权日:2018-08-01
  • 公开(公告)号:EP2513894B1
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2018-08-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
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