• 授权日:2018-08-03
  • 公开(公告)号:KR101887336B1
  • 申请日:2011-04-04
  • 公开(公告)日:2018-08-09
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:하야카와마사히코 | 오카노신야
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020180018850A
  • 申请日:2011-04-04
  • 公开(公告)日:2018-02-21
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:하야카와마사히코 | 오카노신야
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  • 授权日:2016-03-30
  • 公开(公告)号:CN102870151B
  • 申请日:2011-04-04
  • 公开(公告)日:2016-03-30
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:早川昌彦 | 冈野真也
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011242763A5
  • 申请日:2011-04-19
  • 公开(公告)日:2014-05-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:早川 昌彦 | 岡野 真也
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  • 授权日:2017-10-24
  • 公开(公告)号:US9799298
  • 申请日:2011-04-22
  • 公开(公告)日:2017-10-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HAYAKAWA, MASAHIKO | OKANO, SHINYA
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  • 授权日:2018-02-21
  • 公开(公告)号:KR101833082B1
  • 申请日:2011-04-04
  • 公开(公告)日:2018-02-27
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:하야카와마사히코 | 오카노신야
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011242763A
  • 申请日:2011-04-19
  • 公开(公告)日:2011-12-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:早川 昌彦 | 岡野 真也
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019124949A
  • 申请日:2019-02-21
  • 公开(公告)日:2019-07-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:早川 昌彦 | 岡野 真也
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  • 授权日:2017-03-10
  • 公开(公告)号:JP6104997B2
  • 申请日:2015-07-06
  • 公开(公告)日:2017-03-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:早川 昌彦 | 岡野 真也
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