• 授权日:2010-12-07
  • 公开(公告)号:US7847904
  • 申请日:2007-05-30
  • 公开(公告)日:2010-12-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016035584A
  • 申请日:2015-10-09
  • 公开(公告)日:2016-03-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017199000A
  • 申请日:2017-05-25
  • 公开(公告)日:2017-11-02
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015064606A
  • 申请日:2014-12-15
  • 公开(公告)日:2015-04-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2016-10-28
  • 公开(公告)号:JP6030108B2
  • 申请日:2014-12-15
  • 公开(公告)日:2016-11-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2014-12-19
  • 公开(公告)号:JP5668106B2
  • 申请日:2013-07-08
  • 公开(公告)日:2015-02-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019066891A
  • 申请日:2019-02-04
  • 公开(公告)日:2019-04-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140098334A1
  • 申请日:2013-12-11
  • 公开(公告)日:2014-04-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2018-10-09
  • 公开(公告)号:US10095070
  • 申请日:2013-12-11
  • 公开(公告)日:2018-10-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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