• 授权日:2013-03-01
  • 公开(公告)号:JP5211208B2
  • 申请日:2011-06-28
  • 公开(公告)日:2013-06-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2016001340A
  • 申请日:2015-09-04
  • 公开(公告)日:2016-01-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013101404A
  • 申请日:2013-02-22
  • 公开(公告)日:2013-05-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2017-08-15
  • 公开(公告)号:US9734780
  • 申请日:2011-05-19
  • 公开(公告)日:2017-08-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017126070A
  • 申请日:2017-01-25
  • 公开(公告)日:2017-07-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012032799A
  • 申请日:2011-06-28
  • 公开(公告)日:2012-02-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013101404A5
  • 申请日:2013-02-22
  • 公开(公告)日:2014-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170309239A1
  • 申请日:2017-07-11
  • 公开(公告)日:2017-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2018-06-26
  • 公开(公告)号:US10008169
  • 申请日:2017-07-11
  • 公开(公告)日:2018-06-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页