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- 授权日:2013-03-01
- 公开(公告)号:JP5211208B2
- 申请日:2011-06-28
- 公开(公告)日:2013-06-12
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016001340A
- 申请日:2015-09-04
- 公开(公告)日:2016-01-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013101404A
- 申请日:2013-02-22
- 公开(公告)日:2013-05-23
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
- 授权日:2017-08-15
- 公开(公告)号:US9734780
- 申请日:2011-05-19
- 公开(公告)日:2017-08-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017126070A
- 申请日:2017-01-25
- 公开(公告)日:2017-07-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012032799A
- 申请日:2011-06-28
- 公开(公告)日:2012-02-16
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013101404A5
- 申请日:2013-02-22
- 公开(公告)日:2014-05-22
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之 | 宍戸 英明 | 荒澤 亮
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20170309239A1
- 申请日:2017-07-11
- 公开(公告)日:2017-10-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO
- 授权日:2018-06-26
- 公开(公告)号:US10008169
- 申请日:2017-07-11
- 公开(公告)日:2018-06-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MIYAKE, HIROYUKI | SHISHIDO, HIDEAKI | ARASAWA, RYO