• 授权日:2014-09-02
  • 公开(公告)号:KR101439104B1
  • 申请日:2007-12-26
  • 公开(公告)日:2014-09-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:후지카와사이시 | 키무라하지메
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  • 授权日:2013-03-19
  • 公开(公告)号:US8400590
  • 申请日:2012-04-19
  • 公开(公告)日:2013-03-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2012-08-08
  • 公开(公告)号:CN101211082B
  • 申请日:2007-12-26
  • 公开(公告)日:2012-08-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:藤川最史 | 木村肇
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  • 授权日:2015-02-25
  • 公开(公告)号:CN102692777B
  • 申请日:2007-12-26
  • 公开(公告)日:2015-02-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:藤川最史 | 木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019144588A
  • 申请日:2019-04-26
  • 公开(公告)日:2019-08-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20080151151A1
  • 申请日:2007-12-13
  • 公开(公告)日:2008-06-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080060182A
  • 申请日:2007-12-26
  • 公开(公告)日:2008-07-01
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:후지카와사이시 | 키무라하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140113618A
  • 申请日:2014-08-20
  • 公开(公告)日:2014-09-24
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:후지카와사이시 | 키무라하지메
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  • 授权日:2015-07-31
  • 公开(公告)号:KR101542362B1
  • 申请日:2014-08-20
  • 公开(公告)日:2015-08-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:후지카와사이시 | 키무라하지메
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